哈工大搞定13.5nm极紫外光刻，令人振奋，推动我国芯片发展

在2024年的年终岁尾，有一则振奋人心的消息传出，哈尔滨工业大学参赛的“放电等离子体极紫外光刻光源”项目荣获了黑龙江省高校和科研院所职工科技创新成果转化大赛一等奖，这个奖项的获得表明我国在极紫外光刻技术上有了新的突破，填补了我国在这项技术上的空白。

哈尔滨工业大学，简称哈工大，学校的前身是创建于1920年的哈尔滨中俄工业学校，是首批211工程、985工程重点高校之一，还是双一流建设A类学校，是我国高校第一个航天学院，发射了我国有高校牵头自主研制的小卫星，研制了第一台会说话和下棋的计算机等，在2024年软科中国大学排名中，学校排名第16位。

我们知道，光刻机是制造芯片的重要工具，只有性能非常精准的光刻机才能制造出先进的芯片，我国在EUV光刻机的制造技术上存在好多没有解决的难题，近几年，我国的科研机构和高校致力于打破技术壁垒，攻克技术难题。

EUV光刻机技术是制造先进芯片的关键中的关键，13.5纳米的极紫外光是核心，全世界EUV光刻机市场被荷兰的ASML占领，而ASML的光源技术由美国和日本掌握，这些技术正是我国的技术短板，是不能自主生产光刻机的重要难题之一。

在我国的光刻机制造在遇到技术难关的时候，航天学院赵永蓬教授带领他的团队经过一番努力攻克了这项技术的难关，终于研制出“放电等离子体极紫外光刻光源”可以提供中心波长为13.5纳米的极紫外光能满足极紫外光市场对光源的迫切需求。

哈尔滨工业大学研制的“放电等离子体极紫外光刻光源”具有能量转换率高、成本低、体积小、技术实现难度适中等优点，最主要的是我国自主研发，旨在解决我国制造光刻机所有难题，摆脱了在这项技术上对我们的技术封锁。

虽然我们解决了极紫外光技术难题，但离制造整个EUV光刻机还有很长一段距离，还需我们的科学家们不断的攻克一个又一个相关的技术难题，因为在制造EUV光刻机上，有许多技术难点需要我们来解决，哈尔滨工业大学为我国在制造光刻机上解决了重要的一个难题。

还有一个好消息，2024年华中科技大学研制出了制造芯片的光刻胶生产技术，让我国的芯片制造上又解决了一个难题，芯片制造需要的光刻机，哈工大在制造光刻机上又解决了一个重大难题。

我们期盼科学家们排除万难，攻坚克难早日制造出我国自主研制的先进芯片，为我国的科技进步贡献力量和智慧。

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